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局所SARと入射電力密度を推定

均質な材料内の既知の局所RMS電界、導電率、質量密度から局所比吸収率(SAR)を推定します。別の計算では、遠方界における理想的な自由空間平面波の入射RMS電界を電力密度に換算します。

これらは簡易モデルであり、実機の測定や適合性評価ではありません。結合、周波数に依存する材料特性、空間平均や時間平均、機器形状、ファントム、測定不確かさは考慮していません。

局所SARの推定

V/m
S/m
kg/m³
局所SAR: —

モデル式:

SAR = σ × Elocal² / ρ

均質な材料内のRMS電界による、空間平均または時間平均を行わない点の値です。

入射電力密度

V/m
入射電力密度: —

モデル式:

S = Eincident² / Z₀

遠方界における理想的な自由空間平面波です。Z₀ ≈ 377 Ω。

この計算は次の用途に使用できます。

  • 均質な材料内の既知またはシミュレーションによる局所電界から局所SARの大きさを推定する。

  • 電界、導電率、質量密度が局所SARの推定値に与える影響を確認する。

  • 理想的な自由空間平面波の入射遠方電界を電力密度に換算する。

実機のSARおよび規制適合性の確認には、適用される標準化された測定または評価手順が必要です。

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最終確認・更新日:2026年9月29日 IBL編集チーム
著者: IBL-Editors Team
技術レビュー: Andreas Bender - Deputy Managing Director | IBL-Lab GmbH
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